jan 312012
“A empresa japonesa Elpida Memory anunciou a criação do primeiro protótipo de memória resistiva com uma velocidade que se equipara às memórias DRAM atualmente no mercado.
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O tempo de escrita da ReRam, segundo a empresa, é de 10 nanossegundos, uma velocidade similar à das DRAM atuais.
Sua durabilidade foi calculada em 10 milhões de ciclos de escrita e leitura. Isto é cerca de 10 vezes mais do que uma memória flash suporta, mas ainda muito menos do que uma DRAM.
Ou seja, ainda que não ocupe imediatamente seu lugar nos computadores, a ReRAM tem potencial para ser usada em outras áreas, como em pendrives e discos de estado sólido de maior durabilidade.”